[00336416]低電容單向瞬態電壓抑制器
交易價格：
面議
所屬行業：
其他電氣自動化
類型：
發明專利
技術成熟度：
通過小試
專利所屬地：中國
專利號：CN201310299076.4
交易方式：
資料待完善
聯系人：
南京大學
進入空間
所在地：江蘇南京市
- 服務承諾
- 產權明晰
-
資料保密
對所交付的所有資料進行保密
- 如實描述
技術詳細介紹
本發明提供一種單向低電容瞬態電壓抑制器及其制作工藝，其中該抑制器包括P+半導體襯底，位于P+襯底上的P-外延層，所述的P-外延層上從左到右依次設有第一N阱，第一P+有源注入區，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分別設有第一N+有源注入區和第二N+有源注入區；所述的第一P阱上設有第一N-有源注入區和第二P+有源注入區；所述的第一N-有源注入區上設有第三P+有源注入區；所述的第二N+和第三P+有源注入區、第一N+第一P+及第二P+有源注入區分別通過金屬連接并引出。本發明的技術方案可在被保護器件的正常工作電壓下，不會影響數據的高速傳送，保證了大電流的泄放能力，而且具有更好地電流泄放能力。
本發明提供一種單向低電容瞬態電壓抑制器及其制作工藝，其中該抑制器包括P+半導體襯底，位于P+襯底上的P-外延層，所述的P-外延層上從左到右依次設有第一N阱，第一P+有源注入區，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分別設有第一N+有源注入區和第二N+有源注入區；所述的第一P阱上設有第一N-有源注入區和第二P+有源注入區；所述的第一N-有源注入區上設有第三P+有源注入區；所述的第二N+和第三P+有源注入區、第一N+第一P+及第二P+有源注入區分別通過金屬連接并引出。本發明的技術方案可在被保護器件的正常工作電壓下，不會影響數據的高速傳送，保證了大電流的泄放能力，而且具有更好地電流泄放能力。
