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                  [00336416]低電容單向瞬態電壓抑制器

                  交易價格: 面議

                  所屬行業: 其他電氣自動化

                  類型: 發明專利

                  技術成熟度: 通過小試

                  專利所屬地:中國

                  專利號:CN201310299076.4

                  交易方式: 資料待完善

                  聯系人: 南京大學

                  進入空間

                  所在地:江蘇南京市

                  服務承諾
                  產權明晰
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                  技術詳細介紹

                  本發明提供一種單向低電容瞬態電壓抑制器及其制作工藝,其中該抑制器包括P+半導體襯底,位于P+襯底上的P-外延層,所述的P-外延層上從左到右依次設有第一N阱,第一P+有源注入區,第二N阱,第一P阱;所述的第一N阱和第二N阱上分別設有第一N+有源注入區和第二N+有源注入區;所述的第一P阱上設有第一N-有源注入區和第二P+有源注入區;所述的第一N-有源注入區上設有第三P+有源注入區;所述的第二N+和第三P+有源注入區、第一N+第一P+及第二P+有源注入區分別通過金屬連接并引出。本發明的技術方案可在被保護器件的正常工作電壓下,不會影響數據的高速傳送,保證了大電流的泄放能力,而且具有更好地電流泄放能力。
                  本發明提供一種單向低電容瞬態電壓抑制器及其制作工藝,其中該抑制器包括P+半導體襯底,位于P+襯底上的P-外延層,所述的P-外延層上從左到右依次設有第一N阱,第一P+有源注入區,第二N阱,第一P阱;所述的第一N阱和第二N阱上分別設有第一N+有源注入區和第二N+有源注入區;所述的第一P阱上設有第一N-有源注入區和第二P+有源注入區;所述的第一N-有源注入區上設有第三P+有源注入區;所述的第二N+和第三P+有源注入區、第一N+第一P+及第二P+有源注入區分別通過金屬連接并引出。本發明的技術方案可在被保護器件的正常工作電壓下,不會影響數據的高速傳送,保證了大電流的泄放能力,而且具有更好地電流泄放能力。

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